产品描述
参数
硅是一种重要的溅射靶原材料，主要用在反应磁控溅射法镀制SiO2 以及SiN 等介质层，作为重要的功能薄膜材料，它们具有良好的硬度，光学，介电性质及耐磨，抗蚀等特性，在光学，微电子等领域有着广泛的应用前景，是目前国际上广泛关注的功能材料。目前主要用于LCD透明导电玻璃，建筑LOW-E 玻璃以及微电子产业。
硅靶一般可以分为单晶和多晶两种类型。
本公司采用直拉晶体生长技术制造单晶，多晶靶材，晶粒均匀，直径可以达到11英寸，可以加工成长方形，圆形等各种形状，还可以根据用户图纸加工特殊尺寸要求的靶材。
1产品规格：
材料纯度：>99.999%
生长方法:直拉（CZ）
晶向：P or N
金属杂质含量：（Al/Fe/Ca/Mg/Cu/Co/Ni/Cr/Mn/Ti/Na/K//P/W/Mo/Zn/Sn）：<2ppm
长*宽：客户定制
厚度：客户定制
平整度（TIR）:<1.2μm
局部平整度（STIR）:<0.3μm
翘曲度（Warp）:<30μm
2理化特性：
Parameter Value
Density 2.33g/cm3
Melting Point 1420℃
Thermal Conductivity 163.3Wm-1K-1 at 273k
Thermal Expansion 4.15*10-6 / ℃
Hardness Knoop 1150
Specific Heat Capacity 703 J kg-1K-1
Dielectric Constant 13 at 10GHZ
Young’s Modulus(E) 131Gpa
Shear Modulus(G) 79.9 Gpa
Bulk Modulus(K) 102 Gpa
Elastic Coefficients C11=167 C12=65 C44=80
Poisson Ratio 0.266
Solubility Insoluble in water
Molecular Weight 28.09
Class/Structure Cubic diamond, Fd3m
………………………………………………………….
3以下是关于靶材-硅靶的英文描述
silicon target 硅靶
type: poly-crystalline or mono-crystalline
purity:5N
density:2.33g/cm3
conductivity type: P type & N type
specification:
length:300mm max
width:150mm max
diameter:300mm max
thickness:3-12mm
tolerance:±0.1mm
specific resistance:0.005-0.02 ohm.cm
1-10 ohm.cm
10 ohm.cm min
Dopant （PPM）
Element | AL | Fe | Ca | Mg | Cu | Co | Ni | Cr | Mn | Ti | Na | K | B | P | w | Mo | Zn | Sn |
≤PPM | 1.3 | 0.5 | 2.3 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 32 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 |
（以上可参考我公司alibaba 国际站）
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硅靶
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